單晶生長爐
布裏奇曼單晶(jīng)生長(zhǎng)爐
型號:QJ-12DBS
用途:用於(yú)布(bù)裏奇(qí)曼(màn)法生長單晶(jīng)
規格:483*380*1760mm
特點(diǎn):它既可以采用向上提拉 法(fǎ)生長晶(jīng)體,也可以采用坩堝下降(jiàng)法生長晶體,坩堝或籽晶杆還(hái)可以邊升降邊自我旋轉,如此 可以適用(yòng)多種晶體材料(liào)的生長工藝。
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該型號為我公司最新開發的多功能垂直式(shì)布裏奇曼法生長晶體爐,它既可以(yǐ)采用向上提拉法(fǎ)生長晶體(tǐ),也可以采用坩堝下降法生長(zhǎng)晶體,坩堝或(huò)籽(zǐ)晶(jīng)杆還可以邊升降邊自(zì)我旋轉,如此可以(yǐ)適用多種(zhǒng)晶體材料的(de)生長工藝,所以稱(chēng)為多(duō)功能晶體生長爐。

該多功能晶體(tǐ)生長(zhǎng)爐設計(jì)有連續上下四個溫區,可(kě)以方便用戶調節多個不(bú)同的溫度梯度,有利於用戶探索要生長的晶體材料最佳的生長工(gōng)藝,進一(yī)步提升了該設備的易用性和適用性。

控溫部分采用英國歐陸溫(wēn)控(kòng)表,控溫精度可達0.1℃,提拉傳動機構采用(yòng)高性能伺服電機,行程更加穩(wěn)定,該設備可以滿足用戶(hù)生長較高品質的晶體。

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                                                 設備圖片                                                              爐膛加熱溫區(qū)示意圖

加熱係統:
四個加熱區獨立(lì)控溫,可(kě)設置不同(tóng)的溫度梯度,精度±0.1℃:
四溫區長(zhǎng)度: 110+110+110+110mm
總溫區長(zhǎng)度: 440mm
極限溫度: 1200°C
工作溫度: ≤1100°C
升溫速率(lǜ): ≤20℃/min
控溫精度: ±0.1℃
控溫方式: PID程序控溫
溫控儀表: 廈門宇(yǔ)電
測溫原件: 4支R型熱電(diàn)偶
最大功率: 3.5KW
工作電壓: 220V 50Hz
外形尺(chǐ)寸: 483*380*1760mm
籽(zǐ)晶杆固定件和坩堝:
標配1套不鏽鋼籽晶杆固定件,用於連接生長晶體所用的籽晶杆;:
可選配Φ80*80mm的銥金坩堝;:
對於(yú)其它材料的坩堝,可選(xuǎn)配或自行配置;:
提拉機構控製係統:
傳動電(diàn)機: 高(gāo)性能伺服(fú)電機(速度(dù)更穩定,改善生長質量)
提拉(lā)速度: 0.1~10mm/h
提拉(lā)杆轉速: 0.1~23R/min
快(kuài)速升降速(sù)度: 40mm/min
提拉行程: 400mm
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